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技术描述：针对先进Co互连，课题组采用Co、Ti靶材共溅射方法制备了非晶CoTi合金，并对其能否取代传统Ti/TiN或者Ta/TaN双层衬垫层/阻挡层进行了系统研究。首先制备了不同组分的CoTi合金，优化出了电阻率适中，热稳定性、粘附性、粗糙度等性能良好的合金组分做进一步研究。然后通过施加电应力、热应力测试电容-电压（C-V）曲线，分析离子扩散情况，发现CoTi合金可有效阻挡互连线中Co离子向SiO2中扩散。同时，在局部接触孔互连中，课题组分析了CoTi合金的阻挡特性，发现CoTi合金不仅有效阻止了Co与衬底Si的互扩散，延缓高阻态CoSi的生成，还改善了接触的界面形貌，有利于降低接触电阻率。课题组结合Ge预非晶化（Ge PAI）工艺，在n+-Si衬底上，以Co作为局部接触金属，非晶CoTi合金作为单层衬垫层/阻挡层，获得了8.56×10-9Ω-cm2的超低接触电阻率。近期，上述成果以“Investigation of Barrier Property ofAmorphous Co-Ti Layer as Single Barrier/Liner in Local Co Interconnects”（DOI:10.1109/TED.2020.2983302）为题发表在IEEE Transactions on Electron Devices期刊。