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技术描述：1.技术特点：该技术是基于阴极发光光谱技术。 ·阴极发光（CL）是矿物表面在电子束的轰击下产生的发光现象。当与现代电子显微镜结合时，CL成为非常强大的缺陷检查方法，其能够在完整的晶片规模上进行快速，非破坏性的缺陷检查。 ·该过程主要包含：产生调制的带电粒子束; 将所述带电粒子束聚焦于样品上; 对所述试样发出的阴极发光实施时间门控技术；测量样品上不同带电粒子束位置的阴极发光，生成阴极发光图; 解析阴极发光图以提高阴极发光图的分辨率。 2.应用场景：可应用于缺陷检测和表征；成分组成计量；半导体掺杂计量；失效分析；纳米结构表征；载体动力学；生物成像。主要市场在发光二极管（LED） 显示屏；电力和射频设备；硅光子学；材料表征等。 3.拟转化方式：初期以产品销售，发展到一定阶段考虑技术许可和本地生产